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Intel réalise une nouvelle percée technologique |
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Actualités des constructeurs
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25-05-2007 |
 Intel réalise une nouvelle percée technologique qui représente le progrès le plus important pour les puces informatiques depuis quarante ans. La fabrication par Intel des premiers prototypes de transistors ultra-miniaturisés, gravés en 45 nanomètres, accélère l’avènement du multicœur
Paris, le 29 janvier 2007 – Dans le cadre de ce qui est l’un des progrès les plus importants dans la conception des transistors, la société Intel a annoncé aujourd’hui qu’elle faisait appel à deux matériaux résolument nouveaux pour fabriquer les parois isolantes et les portes logiques de ses transistors gravés en 45 nanomètres (nm). Les nouvelles générations des processeurs Intel® Core™2 Duo, Intel® Core™2 Quad et Xeon® comporteront ainsi plusieurs centaines de millions de ces transistors microscopiques. L’entreprise a également indiqué qu’elle disposait de cinq versions initiales pleinement fonctionnelles, qui déboucheront au total sur la sortie de quinze processeurs gravés en 45 nm.
Cette prouesse technique lui permettra de continuer à proposer des records de vitesse sur processeurs pour micro-ordinateurs et serveurs, tout en réduisant les pertes de courant au niveau des transistors, susceptibles en effet d’entraver la conception de puces et d’ordinateurs plus petits, moins consommateurs d’énergie, plus silencieux et plus économiques. Cette avancée assure aussi la pérennité de la loi de Moore (selon laquelle le nombre des transistors d’une puce double tous les deux ans environ) au moins jusqu’à la prochaine décennie.
Avec ces premières versions opérationnelles de processeurs gravés en 45 nm, Intel estime par ailleurs avoir consolidé son avance de plus d’un an sur le reste du secteur des semi-conducteurs. Ces modèles cibleront cinq créneaux différents de l’informatique et fonctionnent sous les systèmes d’exploitation Windows* Vista*, Mac OS* X, Windows* XP et Linux. Intel confirme également son calendrier de production, qui prévoit la mise en œuvre industrielle du 45 nm au second semestre de cette année.
Matériau à forte constante diélectrique et portes métalliquesLa société Intel est la première à employer un ensemble de nouveaux matériaux qui réduisent très largement les fuites de courant au niveau des transistors et qui renforcent les performances des puces gravées en 45 nm. Elle fera ainsi appel à un nouveau matériau dit « à forte constante diélectrique » (k) pour la porte des transistors et à une combinaison de plusieurs matériaux métalliques pour l’électrode de celle-ci.
Gordon Moore, cofondateur d’Intel : « Le recours à des matériaux à forte constante diélectrique et métalliques marque la plus importante évolution dans la technologie des transistors depuis l’arrivée, à la fin des années soixante, des transistors MOS à grille de silicium polycristallin. »
Les transistors sont de minuscules commutateurs qui traitent les 1 et les 0 du numérique. La « porte » d’un transistor allume et éteint celui-ci, tandis que le « diélectrique de porte » est un isolant placé en dessous, qui le sépare du circuit où passe le courant. La conjugaison de portes métalliques et d’un diélectrique de porte à forte constance k se traduit par des transistors qui n’accusent que de très faibles pertes de courant et qui dégagent des performances record.
Mark Bohr, Director of Process Architecture and Integration : « Avec la progression géométrique du nombre de transistors sur les puces de silicium, notre secteur cherche des solutions pour réduire les pertes de courant. Or nos ingénieurs et concepteurs sont parvenus à un résultat tout à fait remarquable, qui assure aux produits et à l’innovation Intel une position prépondérante. La production de transistors à forte constante diélectrique et à portes métalliques dans le cadre de la gravure en 45 nm permettra en effet à Intel de proposer des puces multicœurs encore plus rapides et dotées d’un rendement électrique encore plus élevé, qui s’inscrivent dans la lignée des processeurs Intel Core 2 et Xeon et qui confirment la loi de Moore pour une bonne partie de la prochaine décennie au moins. »
A titre d’illustration, environ quatre cents des transistors d’Intel gravés en 45 nm peuvent loger sur une surface équivalente à celle d’un globule rouge de sang humain. Par comparaison, la technique de gravure la plus perfectionnée voici à peine dix ans était le 250 nm et les transistors correspondants étaient d’une taille environ 5,5 fois supérieure et d’une superficie trente fois plus grande que ceux sur lesquels porte l’annonce d’aujourd’hui.
Le fait que, conformément à la loi de Moore, le nombre des transistors d’une puce double à peu près tous les deux ans permet à Intel d’innover et de renforcer l’intégration de ses processeurs, en enrichissant leurs fonctionnalités et en multipliant leurs cœurs de traitement tout en réduisant les coûts de production et les coûts unitaires au transistor. Cependant, pour que cette cadence d’innovation se maintienne, la taille des transistors doit continuer à diminuer, mais, avec les matériaux actuellement utilisés, cette miniaturisation atteint actuellement les limites de la physique en raison de problèmes de consommation électrique et de dissipation thermique qui dépassent les limites du viable lorsque la finesse de gravure est de l’ordre de l’atome. Il est donc impératif aujourd’hui, pour la pérennité de la loi de Moore et de l’économie à l’ère de l’informatique, de faire appel à de nouveaux matériaux.
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